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BSS123TA  与  BSS123N H6327  区别

型号 BSS123TA BSS123N H6327
唯样编号 A36-BSS123TA A36-BSS123N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 BSS123 Series 100 V 6 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6Ω@100mA,10V 2.4Ω
上升时间 - 3.2ns
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 360mW(Ta) 500mW(1/2W)
Qg-栅极电荷 - 900pC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 410mS
典型关闭延迟时间 - 7.4ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.17A 190mA
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSS123
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 20pF @ 25V -
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 22ns
典型接通延迟时间 - 2.3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 5,184 3,999
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5984
200+ :  ¥0.4563
1,500+ :  ¥0.3965
3,000+ :  ¥0.351
80+ :  ¥0.6655
200+ :  ¥0.507
1,500+ :  ¥0.4407
3,000+ :  ¥0.3887
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS123TA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5984 

阶梯数 价格
90: ¥0.5984
200: ¥0.4563
1,500: ¥0.3965
3,000: ¥0.351
5,184 当前型号
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB

¥0.243 

阶梯数 价格
210: ¥0.243
1,500: ¥0.21
3,000: ¥0.186
27,492 对比
BSS123,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSS123_TO-236AB

¥0.4227 

阶梯数 价格
10: ¥0.4227
100: ¥0.3131
1,000: ¥0.2427
1,500: ¥0.1989
3,000: ¥0.176
15,094 对比
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_2.9mm

¥0.6655 

阶梯数 价格
80: ¥0.6655
200: ¥0.507
1,500: ¥0.4407
3,000: ¥0.3887
3,999 对比
BSS123N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS123NH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 3,000 对比
PMV213SN,215 Nexperia  数据手册 通用MOSFET

PMV213SN_SOT23

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
351 对比

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